Samsung postigao ogroman napredak: nova NAND memorija troši čak 96% manje energije

Samsung Electronics je potvrdio ogroman tehnološki iskorak: njihov SAIT istraživački institut (nekadašnji Samsung Advanced Institute of Technology) objavio je u časopisu Nature rezultate nove vrste NAND Flash strukture koja može da smanji potrošnju energije čak za 96% u odnosu na današnje komercijalne NAND čipove.

U naučnom radu pod nazivom „Ferroelectric transistors for low-power NAND flash“ tim istraživača opisuje kako je kombinacijom ferolelektričnih materijala i oksidnih poluprovodnika prvi put jasno definisan mehanizam koji omogućava rekordno nisku potrošnju energije tokom čitanja i upisa.

Revolucija u NAND memoriji otvara put efikasnijim AI centrima i mobilnim uređajima

NAND memorija je osnovni tip trajnog prostora za čuvanje podataka koji zadržava informacije čak i kada nema napajanja. Današnji razvoj NAND čipova zasniva se na gradnji sve viših 3D struktura sa stotinama ili hiljadama slojeva, čime se povećava gustina skladištenja. Međutim, ova metoda nosi cenu: potrošnja energije drastično raste, posebno pri masovnim opterećenjima kakva se viđaju u AI i cloud data centrima.

Shutterstock

Samsungova nova tehnologija direktno rešava ovaj ključni problem. Ferolelektrični tranzistori omogućavaju znatno lakši i efikasniji upis informacija, bez potrebe za velikim vrednostima napona koji troše ogromne količine energije u današnjim NAND strukturama.

Prema navodima istraživačkog tima, ova tehnologija ima ogroman potencijal da unapredi energetski bilans:

• AI data centara, gde memorija postaje jedan od najvećih potrošača energije
• mobilnih uređaja, kojima duži rad na bateriji i niža potrošnja memorije donose direktnu korist

Ako se tehnologija uspešno komercijalizuje, industrija NAND memorije mogla bi ući u potpuno novu eru energetske efikasnosti sa značajnim efektom na veliki broj uređaja: od pametnih telefona do globalnih superkompjutera.