Intel CEO: Možemo da kreiramo čip sa bilion tranzistora do 2030. godine

Trenutni Intel CEO, Pat Gelsinger, kaže da se tempo Murovog zakona usporio do te mere da možemo očekivati da će se broj tranzistora na čipu udvostručavati svake tri godine.

Murov zakon je prvi put definisan od strane suosnivača Fairchild Semiconductors-a i Intela, Gordona Moore-a. Inicijalna verzija Murovog zakona, stvorena 1965. godine, zahtevala je da se broj tranzistora na čipu udvostruči svake godine. Tokom 1970-ih, Mur je bio primoran da revidira svoje zapažanje i promeni ga tako da se broj tranzistora udvostručuje svake druge godine.

Broj tranzistora na čipu je važan jer što je veći broj, to je komponenta moćnija i energetski efikasnija. Na primer, serija iPhone 11 iz 2019. godine pokretana je čipsetom A13 Bionic sa 7nm tehnologijom, koji je imao 8,5 milijardi tranzistora svaki. Čipset A17 Pro SoC sa 3nm tehnologijom, korišćen u iPhone 15 Pro i iPhone 15 Pro Max, ima 19 milijardi tranzistora u svakom čipsetu, pružajući značajna poboljšanja u performansama i potrošnji energije u poređenju sa A13 Bionic.

Intel CEO kaže da više nismo u zlatnom dobu Murovog zakona

Prema informacijama sa Tom’s Hardware, tokom govora na simpozijumu Manufacturing@MIT, Gelsinger je proglasio Murov zakon “živim i dobrim” i napomenuo da Intel može nadmašiti tempo Murovog zakona do 2031. godine. Očekuje se da će Intel preuzeti vođstvo u proizvodnom procesu od TSMC-a i Samsung Foundry-a sa svojim A18 (1.8nm) čvorom 2025. godine, u poređenju sa 2nm čvorom koji će koristiti ova dva iste godine za izgradnju najsavremenijih čipova.

Intel Corporation

Intel CEO priznao je da “više nismo u zlatnom dobu Murovog zakona, sada je mnogo, mnogo teže, tako da se udvostručavana efikasnost sve bliži svake tri godine sada, jer smo definitivno primetili usporavanje.” Izvršni direktor Intela gura koncept “Super Murovog zakona” zasnovanog na upotrebi 2.5D i 3D pakovanja čipa kako bi se povećao broj tranzistora. Gelsinger to naziva i “Murov zakon 2.0.“

Gelsinger : “Mislim da već tri do četiri decenije proglašavamo smrt Murovog zakona.”

Gelsinger je takođe rekao da bi do 2030. godine Intel mogao stvoriti čip sa jednim bilionom tranzistora. Četiri stvari koje je Intel CEO pomenuo koje bi mogle to omogućiti uključuju RibbonFET tranzistore. Slično tranzistorima “Gate-All-Around” koje trenutno koristi Samsung Foundry sa svojom 3nm produkcijom, RibbonFET tranzistor ima kapi koja pokriva sve četiri strane kanala, smanjujući curenje struje i povećavajući struju pogona.

Druga stvar koja bi mogla dovesti do čipa sa bilion tranzistora je PowerVIA napajanje. Pomoću ove tehnike, linije napajanja smeštene su na zadnju stranu čipa umesto na prednju, poboljšavajući snagu i performanse.

Treća stvar su procesi nove generacije koji dolaze tokom narednih nekoliko godina, što će smanjiti veličinu tranzistora omogućavajući da ih više stane unutar čipa. Četvrta stvar je 3D slaganje čipa, gde se 16 ili više integrisanih kola međusobno povezuju vertikalno kako bi funkcionisala kao jedan čip.

Gelsinger takođe ukazuje na to da su se ekonomika poslovanja nedavno promenila. “Savremena fabrika pre sedam ili osam godina koštala je oko 10 milijardi dolara“, rekao je. “Sada košta oko 20 milijardi dolara, te smo videli drugačiji pomak u ekonomiji.“