Samsung Ferroelectrics za NAND u 1000 slojeva i SSD kapaciteta 1 petabajt

Planovi kompanije Samsung Electronics da proizvede uređaj za skladištenje „petabajta” podataka su se samo do pre nekog vremena činili nerealnim, ali kompanija sada razmatra korišćenje novih „feroelektričnih” materijala kako bi ostvarila ovaj cilj uz pomoć NAND memorije koja koristi tehnologiju sa preko 1000 slojeva sa tranzistorima.

Nedavno je bila priča o Samsung planovima za budućnost u vezi NAND tržišta, uključujući predstavljanje V-NAND fleš memorije 9. generacije, koja će koristiti čak 290 slojeva naslaganih jedan na drugom, postavljajući novu referencu na ovom delu tržišta.

Samsung SSD kapaciteta 1 PB više nije naučna fantastika

Zanimljivo je da je korejski gigant takođe najavio NAND memoriju sa neverovatnih 430 slojeva (10. Gen V-NAND) za koji se očekuje da će biti lansirana već sledeće godine. Sa tako naprednom tehnologijom, Samsung Electronics planira da pređe granicu od 1000 TB što je pre moguće, ali postoji još jedan zanimljiv aspekt u čitavoj priči.

Samsung

Očekuje se da će na VLSI tehnološkom simpozijumu, istraživači sa „Korejskog instituta za naprednu nauku i tehnologiju“ (KAIST) predstaviti svoja otkrića o Hafnia Ferroelectrics, tehnologiji koja koristi klasu materijala koji pokazuju feroelektrična svojstva pod određenim uslovima.

Oni su u poslednje vreme primetili veliko interesovanje, za primenu ove tehnologije u oblasti iz računarske industrije. Ova vrsta materijala zbog feroelektričnih karakteristika se može koristiti za razvoj manjih, efikasnijih kondenzatora u svrhu proizvodnje memorijskih uređaja, prenosi wccftech.

Važno je napomenuti kako Samsung nije direktno uključen u proces istraživanja i razvoja, ali se jasno navodi da su istraživači direktno povezani sa korejskim gigantom.

Iako nije sigurno da li će Hafnia Ferroelectrics dovesti do ostvarenja postavljenog cilja o proizvodnji petabajtnih uređaja za čuvanje podataka, oni bi mogli odigrati glavnu ulogu u procesu, koji bi nas na kraju doveo do prekretnice u proizvodnji uređaja na bazi NAND memorije, velikih kapaciteta.