Tranzistor tanji od atoma i 100 puta brži od današnje generacije: kineski 2D tranzistor najavljuje revoluciju budućih procesora

Kineski naučnici predstavili su atomsku tehnologiju bez korišćenja silicijuma za proizvodnju tranzistora, koja obećava efikasnije i neuporedivo brže čipove, otvarajući novu fazu u globalnoj trci za poluprovodnicima

Tranzistor tanji od atoma i 100 puta brži od današnje generacije: kineski 2D tranzistor najavljuje revoluciju budućih procesora

Istraživači iz Kine razvili su dvodimenzionalni (2D) tranzistor koji bi mogao iz temelja promeniti budućnost mikroprocesora. Ova tehnologija, koja rezultira tranzistorima tanjim od jednog atoma i do 100 puta brža od današnjih silicijumskih tranzistora, ima potencijal da proizvede čipove koji su daleko moćniji, a pritom troše manje energije.

Studiju je predvodio profesor Hailin Peng sa Univerziteta u Pekingu, a objavljena je u prestižnom časopisu Nature. Umesto da unapređuju postojeću silicijumsku arhitekturu, kineski tim se odlučio za radikalno novi pristup materijalima i dizajnu tranzistora, sa ciljem da prestignu lidere u ovoj oblasti kao što su Intel i TSMC.

U središtu inovacije nalazi se GAAFET (gate-all-around FET) arhitektura, gde se kontrolna elektroda u potpunosti obavija oko kanala, za razliku od FinFET dizajna kod kojeg to nije slučaj. Ovaj tip kontrole od 360-stepeni omogućava veću stabilnost, manje curenje struje i mnogo veću brzinu okidanja tranzistora, što je ključno za minijaturne i brze elektronske uređaje. Čipovi na bazi ovog dizajna mogli bi da donesu povećanje performansi do 40% i smanjenje potrošnje energije za 10% u poređenju sa najboljim današnjim silicijumskim rešenjima.

Prijavi se na nedeljni Benchmark newsletter
Hvala!

Uspešno ste se prijavili na na naš newsletter! Proverite vaš email nalog kako bi potvrdili prijavu.

Još veći preokret dolazi u vidu upotrebljenog materijala. Umesto silicijuma, koristi se bizmut oksiselenid, dvodimenzionalni poluprovodnik izuzetne mehaničke fleksibilnosti i električnih svojstava. Ovaj materijal omogućava izuzetno brzo kretanje elektrona i ima visoku dielektričnu konstantu, što doprinosi efikasnom upravljanju naelektrisanjem i dodatno pojačava performanse tranzistora.

Inovacija dolazi u trenutku kada se Kina suočava sa sve većim tehnološkim ograničenjima sa Zapada, posebno u pogledu pristupa naprednim čipovima i alatima za njihovu proizvodnju. Rešenje zasnovano na novim materijalima i sopstvenim metodama može omogućiti Kini da zaobiđe postojeće tehnološke barijere i postane nezavisna u proizvodnji čipova nove generacije.

Profesor Peng je rekao da se ne radi o „prečici“, već o potpunoj promeni pravca u razvoju procesorske tehnologije. Ako se dokaže izvodljivost ove tehnologije u komercijalnoj primeni, Kina bi mogla da napravi veliki tehnološki skok i zauzme vodeće mesto u razvoju budućih računarskih sistema, piše IDR.

Ostani u toku

Prijavi se na newsletter listu i jednom nedeljno cemo ti poslati email sa najnovijim testovima i vestima iz sveta tehnologije.

Hvala!

Uspešno ste se prijavili na na naš newsletter! Proverite vaš email nalog kako bi potvrdili prijavu.

Možda vam se svidi
Polisa privatnosti

Ova veb stranica koristi kolačiće kako bismo vam pružili najbolje moguće korisničko iskustvo.

Informacije o kolačićima se čuvaju u vašem pretraživaču i obavljaju funkcije poput prepoznavanja kada se vratite na našu veb stranicu i pomažu našem timu da razume koje delove veb sajta smatrate najzanimljivijim i najkorisnijim.