SK Hynix počinje razvoj HBM4 memorije sa visokim propusnim opsegom sledeće godine

Do sada smo videli kako su kompanije Micron i Samsung najavile sopstvene HBM4 memorijske čipove sledeće generacije, a sada vidimo i da južnokorejski SK Hynix potvrđuje isto, ne dozvoljavajući zaostajanje. Ova kompanija je potvrdila u svojoj blog objavi da 2024. godine počinje razvoj HBM4 memorije sa visokim propusnim opsegom kada će započeti i njenu proizvodnju.

Govoreći o svojim HBM proizvodima, menadžer kompanije Kim Vang-So istakao je da će SK Hynix 2024. masovno proizvoditi i unapređenu varijantu postojeće HBM3 memorije, odnosno HBM3e čipove koji će nuditi povećane brzine i kapacitete. Međutim, iste godine kompanija će se vinuti i u vode proizvodnje sledeće generacije ove memorije HBM4, što označava veliki korak u kontinuiranom razvoju ovih proizvoda.

„S masovnom proizvodnjom i prodajom HBM3e planiranom za sledeću godinu, naša tržišna dominacija ponovo će biti maksimalna“, piše u saopštenju kompanije. Vang-So dodaje da će uz to, budući razvoj HBM4 čipova kompaniju odvesti u novu fazu tokom 2024, pa će to biti godina u kojoj će slaviti.

S obzirom na planirani razvoj 2024, to znači da ćemo proizvode koji koriste ovu vrstu memorije moći da vidimo tek na kraju 2025. ili početkom 2026. godine. Nedavne informacije koje je podelio Trendforce ukazuju da će prvi HBM4 uzorci imati kapacitete do 36 GB po čipu (stack), a kompletne specifikacije mogli bismo da vidimo u drugoj polovini 2024. od strane JEDEC organizacije.

SK Hynix

HBM3e memorija već doseže brzinu od 9,8 Gbps, pa tako očekujemo da će sledeća generacija biti prva koja će probiti dvocifrenu barijeru i dostigne brzine od 10+ Gbps. Kada su u pitanju proizvodi, analitičari očekuju da će Nvidia Blackwell koristiti HBM3e memorijske module, pa bi tek njegov naslednik, koji izgleda nosi kodno ime Vera Rubin, ili unapređena verzija Hopper H200 mogli da koriste HBM4.