Samsung predstavlja superbrzi DDR5 čip najverovatnije na IEEE konferenciji ove godine

Samsung na predstojećoj IEEE međunarodnoj konferenciji „Solid-State Circuit“ 2024. godine navodno planira da, između ostalog, predstavi i memorijski superbrzi DDR5 čip sa duplo većim kapacitetom u istoj veličini kućišta kao i prethodni 16 Gb DDR5 DRAM modul. Osim toga, novi čip dolazi sa velikom brzinom prenosa podataka od 8000 Mbps.

Uz tu brzinu, novi superbrzi DDR5 čip koristi simetrično-mozaičku strukturu, kreiranu pomoću pete generacije Samsung 10 nm proizvodnog procesa posebno prilagođenog za DRAM proizvode.

Ova tehnologija omogućava izradu DIMM modula od 32 GB i 48 GB na impresivnim DDR5-8000 brzinama u jednostrukim konfiguracijama, dok podržava i 64 GB i 96 GB DIMM module sa konfiguracijama u dva ranga.

Superbrzi DDR5 čip omogućava i manju potrošnju energije

Kada je novi DDR5 proizvod prvi put najavljen krajem 2023. godine, Sangdžun Hvang, izvršni potpredsednik DRAM proizvoda i tehnologije u kompaniji Samsung Electronics rekao je:

„Sa našim DRAM 32 Gb čipovima 12 nm klase, obezbedili smo rešenje koje će omogućiti module do 1 TB (terabajt), što nam daje šansu da budemo idealno pozicionirani da zadovoljimo rastuću potrebu za DRAM čipova velikog kapaciteta u eri veštačke inteligencije. Nastavićemo da razvijamo DRAM rešenja kroz različite tehnologije procesa i dizajna kako bismo razbili granice memorijske tehnologije”.

Samsung

Dodatno, novi superbrzi DDR5 čip od 32 Gb omogućava proizvodnju modula od 128 GB bez potrebe za TSV procesom (Through Silicon Via), smanjujući potrošnju energije za 10 posto navodi Samsung. To ga čini odličnim rešenjem, prenosi  TechRadarPro, zato što se u centrima podataka bore sa sve većim AI energetskim zahtevima.

Detalji o ovim inovacijama dodatno bi trebalo da budu otkriveni tokom predstojeće konferencije, pružajući dodatne uvide u budućnost memorije i tehnologije.