Sara Smolović
Iako je razvojni put Samsung čipova imao padove, u budućnosti bi on veoma lako mogao da ide uzlaznom putanjom i čak da nadmaši veoma popularnog konkurentna, proizvode američkog dizajnera poluprovodnika Qualcomm. Tako bi predstojeći Exynos 2500 mogao da bude bolji nego Snapdragon 8 Gen 4 kada je u pitanju efikasnost, zahvaljujući 3 nm proizvodnom procesu druge generacije južnokorejske kompanije koja koristi GAA umesto FinFET tranzistora kojima se inače služi TSMC, proizvođač Qualcomm čipova.
Mobilni procesor Exynos 2400 koji pokreće aktuelne Samsung telefone Galaxy S24 serije ispostavio se kao prijatno iznenađenje i ima desetojezgarni CPU. Osim toga, on takođe nudi hardverski ubrzan RayTracing proces koji donosi realističnije osvetljenje u video igrama poput senki, refleksija, prelamanje svetlosti, istaknutih delova i reflektovanog svetla. Geekbench testovi su ubrzo po lansirajnu ovog čipa pokazali su da je on skoro jednako moćan kao, takođe aktuelni Snapdragon 8 Gen 3 SoC, trenutno vodeći čip američkog konkurenta Qualcomm.
Međutim, u 2023. godini, svi Galaxy S23 modeli telefona bili su opremljeni Snapdragon 8 Gen 2 čipsetom specijalno napravljenim za Galaxy telefone, dok Samsung nije masovno proizvodio svoj tadašnji najnoviji Exynos 2300 čip, koji se nije pokazao u najboljem svetlu. Međutim, ove godine, Samsung je koristio ovaj čip na Galaxy S24 i Galaxy S24+ telefonima na većini tržišta u svetu osim u SAD i Kini. U tim zemljama, telefone pokreće Snapdragon 8 Gen 3, koji inače takođe nalazi i u Galaxy S24 Ultra telefonima bez obzira na to koje je tržište u pitanju.
To govori da je Exynos napredovao u odnosu na ranije, iako i dalje Samsung u svojim premijum telefonima koristi i Qualcomm proizvode. Ipak, to bi sledeće godine potpuno moglo da se promeni tako da Exynos 2500 u potpunosti pokreće predstojeću Galaxy S25 seriju, bez obzira na to koje tržište ili koji model telefona bude u pitanju.
Aktuelni čip nastao je na 4 nm proizvodnom procesu kompanije Samsung, a rane glasine ukazuju da će kompanija za svoj sledeći SoC koristiti 3 nm proces druge generacije. Na drugoj strani, predstojeći Qualcomm čipset Snapdragon 8 Gen 4 takođe bi trebalo da bude napravljen na 3 nm proizvodnom procesu druge generacije, ali na onom koji koristi njegov proizvođač TSMC.
Upravo ta razlika biće navodno ključna da sledeće Samsung čedo u vidu Exynos 2500 bude efikasnije nego Qualcomm-ovo u vidu Snapdragon 8 Gen 4. Razlika je u tome što pomenuti Samsung proces proizvodnje koristi GAA (Gate-All-Around) tranzistore, koji predstavljaju noviju tehnologiju u poređenju sa tradicionalnim FinFET tranzistorima koje upotrebljava TSMC. Naime, kod GAA tehnologije, „kapija“ koja kontroliše protok elektrona kroz kanal ga praktično obavija sa sve četiri strane, umesto tri strane kod FinFET tehnologije.
To omogućava bolju kontrolu nad elektronskim tokom, ograničava curenja i povećava strujanje, što u krajnjem slučaju povećava efikasnost čipa.
QualcommTSMC neće koristiti GAA tranzistore sve do početka proizvodnje na 2 nm procesu, koja treba da počne u drugoj polovini naredne godine. Do tada, njegovi čipovi druge generacije zasnovani na 3 nm i dalje će koristiti FinFET tranzistore čak i čipovima poput predstojećeg Snapdragon 8 Gen 4 čipa, kao i A18 Pro i A18 Bionic procesora koji će pokretati iPhone 16 Pro seriju.
Ranije glasine ukazivale su da Snapdragon 8 Gen 4 čipset ima problema sa potrošnjom energije što prisiljava proizvođače telefona da koriste baterije kapaciteta od 5.500 mAh da bi kompenzovali problem, piše PhoneArena. To naravno ne mora da znači da Qualcomm i TSMC te probleme neće rešiti, a da će Exynos 2500 ostati bez problema.
Takođe, problem južnokorejske kompanije u prošlosti takođe je bio i nizak prinos u proizvodnje, ali sada je to navodno poraslo sa 20 na 60 posto, što predstavlja ozbiljno povećanje, pod uslovom da je tačno. U svakom slučaju, konačnog pobednika ćemo videti nakon što čipovi izađu i pokažu se u telefonima koje budu pokretali.
