Samsung sprema Exynos 2400 sa revolucionarnom FOWLP Tehnologijom za Galaxy S24 seriju

Značajna evolucija očekuje potrošače dok Samsung ponovo pokušava da povrati poverenje kupaca u svoj Exynos čipset, uvodeći dugo očekivani Exynos 2400 u standardne verzije Galaxy S24 i Galaxy S24 Plus uređaja u odabranim regionima.

Fokus na ovaj čipset se pojačao od kako je južnokorejski EDaily nedavno otkrio revolucionarni skok u tehnologiji Exynos 2400 – uvođenje Fan-out Wafer-level Packaging (FOWLP). Ovo označava značajan trenutak u pakovanju poluprovodničkih čipova, gurajući Samsung u novo doba inovacija. Exynos 2400 će predvoditi kao pionir u primeni ove napredne tehnologije pakovanja u Galaxy S24 i Galaxy S24 Plus.

Exynos 2400 čipset obećava dodatne slojeve inovacija

Fan-out Wafer-level Packaging (FOWLP) se hvali kao ključna tehnologija koja poboljšava performanse poluprovodničkih čipova, pozicionirajući Samsung kao opasnog konkurenta liderima industrije poput TSMC-a.

Odstupajući od tradicionalnih metoda pakovanja čipova koja uključuju povezivanje čipova sa štampanom pločom (Printed Circuit Board – PCB), FOWLP eliminiše potrebu za PCB-om. Ova direktna veza sa waferom rezultira smanjenjem čipa za 40%, smanjenjem debljine za 30%, i povećanjem performansi od 15% u poređenju sa prevladavajućom FC-BGA (Flip Chip-Ball Grid Array) tehnologijom.

Tehnička zajednica s nestrpljenjem iščekuje datum lansiranja serije Galaxy S24. Samsungova strateška integracija FOWLP tehnologije i moćnog Exynos 2400 čipseta obećava dodatne slojeve inovacija u industriji pametnih telefona.

Pitanje koje se mota u svakom umu – da li će Samsung konačno prestići Snapdragon 8 seriju ovog puta? Odgovori ostaju skriveni još neko vreme, pozivajući entuzijaste da ostanu u toku sa onim što se očekuje kao revolucionarno izdanje u dinamičnom svetu pametnih telefona.

Ono što ostaje pitanje je zašto Samsung, ako je sve ovo tačno, ne ugradi ovaj čipset i u Galaxy S24 Ultra pametni telefon? Mi ćemo se ipak zadovoljiti i sa Snapdragon 8 Gen 3 prilagođenim čipsetom.